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Circuits intégrés électroniques SRAM IS61WV25616BLL-10TLI asynchrone 4Mo 10ns TSOP44 parallèle

Informations de base
Certification: Original Parts
Numéro de modèle: IS61WV25616BLL-10TLI
Quantité de commande min: 1 morceau
Prix: Negotiation
Détails d'emballage: 10cm x 10cm x 5cm
Délai de livraison: 3-5 jours de travail
Conditions de paiement: T/T, Paypal, Western Union, engagement et d'autres
Capacité d'approvisionnement: 500-2000pcs par mois
Détail Infomation
No de l'article: IS61WV25616BLL-10TLI Type de mémoire: Volatil
format de mémoire: SRAM Taille de la mémoire: Taille de la mémoire
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circuits intégrés IC

,

puce électronique d'IC


Description de produit

 

Puce d'IC de mémoire de SRAM IS61WV25616BLL-10TLI de PUCE d'IC - parallèle asynchrone 10ns TSOP44 d'IC 4Mb de mémoire

 

 

CARACTÉRISTIQUES :

 

GRANDE VITESSE : (IS61/64WV25616ALL/BLL)

• Temps d'accès haut débit : 8, 10, 20 NS

• Bas Active Power : 85 mW (typiques)

• Basse alimentation générale : remplaçant de 7 mW CMOS (typique)

PUISSANCE FAIBLE : (IS61/64WV25616ALS/BLS)

• Temps d'accès haut débit : 25, 35, 45 NS

• Bas Active Power : 35 mW (typiques)

• Basse alimentation générale : 0,6 remplaçants de mW CMOS (typique)

• Alimentation d'énergie simple

Densité double 1.65V de V à 2.2V (IS61WV25616Axx)

Densité double 2.4V de V à 3.6V (IS61/64WV25616Bxx)

• Opération entièrement statique : aucune horloge ou ne régénèrent requis

• Trois sorties d'état

• Contrôle de données pour les octets supérieurs et inférieurs

• Appui industriel et des véhicules à moteur de la température

• Disponible sans plomb

SCHÉMA FONCTIONNEL FONCTIONNEL :

DESCRIPTION

L'ISSI IS61WV25616Axx/Bxx et IS64WV25616Bxx

sont ultra-rapides, 4 194 304 mémoires RAM statiques de bit organisées en tant que 262 144 mots par 16 bits. C'est la technologie performante du CMOS des usingISSI fabriqués. Ce pro cess fortement fiables ajoutés aux techniques de conception innovatrices de circuit,

rendements performants et vices de la consommation De de puissance faible.

 

Quand le CE est HAUT (ne pas sélectionner), le dispositif assume un mode veille auquel la dissipation de puissance peut être réduite vers le bas avec des niveaux saisie de CMOS.

 

L'ajout de mémoire facile est fourni à l'aide de la puce permettent et produire permettez les entrées, le CE et l'OE. Le BAS actif écrivent permettent l'écriture de contrôles de (WE) et la lecture de la mémoire. Un octet de données permet l'octet supérieur (UB) et l'accès inférieur de (LB) d'octet.

 

Les IS61WV25616Axx/Bxx et les IS64WV25616Bxx sont empaquetés dans le type II de la goupille TSOP de la norme 44 de JEDEC et 48 goupillent mini BGA (6mm x 8mm).

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES de C.C (sur la plage de fonctionnement)

VDENSITÉ DOUBLE = 3.3V + 5%

 

Symbole Paramètre Conditions d'essai Minimal. Maximum. Unité
VL'OH Haute tension de sortie Vdensité double = mn, Il'OH = – 4,0 mA 2,4 V
VOL BASSE tension de sortie Vdensité double = mn, IOL = 8,0 mA 0,4 V
VIH Haute tension d'entrée   2 VDENSITÉ DOUBLE + 0,3 V
VL'IL BASSE tension d'entrée (1)   – 0,3 0,8 V
ILI Fuite d'entrée £ V DE LA TERREDANS LADENSITÉ DOUBLE DU £ V – 1 1 µA
ILO Fuite de sortie Densité double du £ Vdu £ V de la terre, sorties handicapées – 1 1 µA

Note :

1. Vl'IL (minimale) = – C.C 0.3V ; Vl'IL (minimale) = – C.A. 2.0V (durée d'impulsion < 10="" ns="">

VIH (maximum) = V C.Cdensité double + 0.3V ; VIH (maximum) = V C.A.densité double + 2.0V (durée d'impulsion < 10="" ns="">

 

 

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES de C.C (sur la plage de fonctionnement)

VDENSITÉ DOUBLE = 2.4V-3.6V

 

Symbole Paramètre Conditions d'essai Minimal. Maximum. Unité
VL'OH Haute tension de sortie Vdensité double = mn, Il'OH = – 1,0 mA 1,8 V
VOL BASSE tension de sortie Vdensité double = mn, IOL = 1,0 mA 0,4 V
VIH Haute tension d'entrée   2,0 VDENSITÉ DOUBLE + 0,3 V
VL'IL BASSE tension d'entrée (1)   – 0,3 0,8 V
ILI Fuite d'entrée £ V DE LA TERREDANS LADENSITÉ DOUBLE DU £ V – 1 1 µA
ILO Fuite de sortie Densité double du £ Vdu £ V de la terre, sorties handicapées – 1 1 µA

Note :

1. Vl'IL (minimale) = – C.C 0.3V ; Vl'IL (minimale) = – C.A. 2.0V (durée d'impulsion < 10="" ns="">

VIH (maximum) = V C.Cdensité double + 0.3V ; VIH (maximum) = V C.A.densité double + 2.0V (durée d'impulsion < 10="" ns="">

 

 

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES de C.C (sur la plage de fonctionnement)

VDENSITÉ DOUBLE = 1.65V-2.2V

 

Symbole Paramètre Conditions d'essai VDENSITÉ DOUBLE Minimal. Maximum. Unité
VL'OH Haute tension de sortie Il'OH = -0,1 mA 1.65-2.2V 1,4 V
VOL BASSE tension de sortie IOL = 0,1 mA 1.65-2.2V 0,2 V
VIH Haute tension d'entrée   1.65-2.2V 1,4 VDENSITÉ DOUBLE + 0,2 V
VIL (1) BASSE tension d'entrée   1.65-2.2V – 0,2 0,4 V
ILI Fuite d'entrée £ V DE LA TERREDANS LADENSITÉ DOUBLE DU £ V – 1 1 µA
ILO Fuite de sortie Densité double du £ Vdu £ V de la terre, sorties handicapées – 1 1 µA

Note :

1. Vl'IL (minimale) = – C.C 0.3V ; Vl'IL (minimale) = – C.A. 2.0V (durée d'impulsion < 10="" ns="">

VIH (maximum) = V C.Cdensité double + 0.3V ; VIH (maximum) = V C.A.densité double + 2.0V (durée d'impulsion < 10="" ns="">

CONDITIONS D'ESSAI À C.A.

 

Paramètre Unité Unité Unité
  (2.4V-3.6V) (3.3V +10%) (1.65V-2.2V)
InputPulseLevel 0Vto3V 0Vto3V 0Vto1.8V
Hausse d'entrée et temps d'automne 1V/ NS 1V/ NS 1V/ NS
AndReferenceLevel d'InputandOutputTiming (référencede V) 1.5V 1.5V 0.9V
OutputLoad Voir les schémas 1 et 2 Voir les schémas 1 et 2 Voir les schémas 1 et 2

Coordonnées
Karen.