Certification: | Original Parts |
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Numéro de modèle: | IS61WV25616BLL-10TLI |
Quantité de commande min: | 1 morceau |
Prix: | Negotiation |
Détails d'emballage: | 10cm x 10cm x 5cm |
Délai de livraison: | 3-5 jours de travail |
Conditions de paiement: | T/T, Paypal, Western Union, engagement et d'autres |
Capacité d'approvisionnement: | 500-2000pcs par mois |
No de l'article: | IS61WV25616BLL-10TLI | Type de mémoire: | Volatil |
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format de mémoire: | SRAM | Taille de la mémoire: | Taille de la mémoire |
Surligner: | circuits intégrés IC,puce électronique d'IC |
Puce d'IC de mémoire de SRAM IS61WV25616BLL-10TLI de PUCE d'IC - parallèle asynchrone 10ns TSOP44 d'IC 4Mb de mémoire
CARACTÉRISTIQUES :
GRANDE VITESSE : (IS61/64WV25616ALL/BLL)
• Temps d'accès haut débit : 8, 10, 20 NS
• Bas Active Power : 85 mW (typiques)
• Basse alimentation générale : remplaçant de 7 mW CMOS (typique)
PUISSANCE FAIBLE : (IS61/64WV25616ALS/BLS)
• Temps d'accès haut débit : 25, 35, 45 NS
• Bas Active Power : 35 mW (typiques)
• Basse alimentation générale : 0,6 remplaçants de mW CMOS (typique)
• Alimentation d'énergie simple
—Densité double 1.65V de V à 2.2V (IS61WV25616Axx)
—Densité double 2.4V de V à 3.6V (IS61/64WV25616Bxx)
• Opération entièrement statique : aucune horloge ou ne régénèrent requis
• Trois sorties d'état
• Contrôle de données pour les octets supérieurs et inférieurs
• Appui industriel et des véhicules à moteur de la température
• Disponible sans plomb
DESCRIPTION
L'ISSI IS61WV25616Axx/Bxx et IS64WV25616Bxx
sont ultra-rapides, 4 194 304 mémoires RAM statiques de bit organisées en tant que 262 144 mots par 16 bits. C'est la technologie performante du CMOS des usingISSI fabriqués. Ce pro cess fortement fiables ajoutés aux techniques de conception innovatrices de circuit,
rendements performants et vices de la consommation De de puissance faible.
Quand le CE est HAUT (ne pas sélectionner), le dispositif assume un mode veille auquel la dissipation de puissance peut être réduite vers le bas avec des niveaux saisie de CMOS.
L'ajout de mémoire facile est fourni à l'aide de la puce permettent et produire permettez les entrées, le CE et l'OE. Le BAS actif écrivent permettent l'écriture de contrôles de (WE) et la lecture de la mémoire. Un octet de données permet l'octet supérieur (UB) et l'accès inférieur de (LB) d'octet.
Les IS61WV25616Axx/Bxx et les IS64WV25616Bxx sont empaquetés dans le type II de la goupille TSOP de la norme 44 de JEDEC et 48 goupillent mini BGA (6mm x 8mm).
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES de C.C (sur la plage de fonctionnement)
Symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Minimal. | Maximum. | Unité |
VL'OH | Haute tension de sortie | Vdensité double = mn, Il'OH = – 4,0 mA | 2,4 | — | V |
VOL | BASSE tension de sortie | Vdensité double = mn, IOL = 8,0 mA | — | 0,4 | V |
VIH | Haute tension d'entrée | 2 | VDENSITÉ DOUBLE + 0,3 | V | |
VL'IL | BASSE tension d'entrée (1) | – 0,3 | 0,8 | V | |
ILI | Fuite d'entrée | £ V DE LA TERREDANS LADENSITÉ DOUBLE DU £ V | – 1 | 1 | µA |
ILO | Fuite de sortie | Densité double du £ Vdu £ V de la terre, sorties handicapées | – 1 | 1 | µA |
Note :
1. Vl'IL (minimale) = – C.C 0.3V ; Vl'IL (minimale) = – C.A. 2.0V (durée d'impulsion < 10="" ns="">
VIH (maximum) = V C.Cdensité double + 0.3V ; VIH (maximum) = V C.A.densité double + 2.0V (durée d'impulsion < 10="" ns="">
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES de C.C (sur la plage de fonctionnement)
Symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Minimal. | Maximum. | Unité |
VL'OH | Haute tension de sortie | Vdensité double = mn, Il'OH = – 1,0 mA | 1,8 | — | V |
VOL | BASSE tension de sortie | Vdensité double = mn, IOL = 1,0 mA | — | 0,4 | V |
VIH | Haute tension d'entrée | 2,0 | VDENSITÉ DOUBLE + 0,3 | V | |
VL'IL | BASSE tension d'entrée (1) | – 0,3 | 0,8 | V | |
ILI | Fuite d'entrée | £ V DE LA TERREDANS LADENSITÉ DOUBLE DU £ V | – 1 | 1 | µA |
ILO | Fuite de sortie | Densité double du £ Vdu £ V de la terre, sorties handicapées | – 1 | 1 | µA |
Note :
1. Vl'IL (minimale) = – C.C 0.3V ; Vl'IL (minimale) = – C.A. 2.0V (durée d'impulsion < 10="" ns="">
VIH (maximum) = V C.Cdensité double + 0.3V ; VIH (maximum) = V C.A.densité double + 2.0V (durée d'impulsion < 10="" ns="">
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES de C.C (sur la plage de fonctionnement)
Symbole | Paramètre | Conditions d'essai | VDENSITÉ DOUBLE | Minimal. | Maximum. | Unité |
VL'OH | Haute tension de sortie | Il'OH = -0,1 mA | 1.65-2.2V | 1,4 | — | V |
VOL | BASSE tension de sortie | IOL = 0,1 mA | 1.65-2.2V | — | 0,2 | V |
VIH | Haute tension d'entrée | 1.65-2.2V | 1,4 | VDENSITÉ DOUBLE + 0,2 | V | |
VIL (1) | BASSE tension d'entrée | 1.65-2.2V | – 0,2 | 0,4 | V | |
ILI | Fuite d'entrée | £ V DE LA TERREDANS LADENSITÉ DOUBLE DU £ V | – 1 | 1 | µA | |
ILO | Fuite de sortie | Densité double du £ Vdu £ V de la terre, sorties handicapées | – 1 | 1 | µA |
Note :
1. Vl'IL (minimale) = – C.C 0.3V ; Vl'IL (minimale) = – C.A. 2.0V (durée d'impulsion < 10="" ns="">
VIH (maximum) = V C.Cdensité double + 0.3V ; VIH (maximum) = V C.A.densité double + 2.0V (durée d'impulsion < 10="" ns="">
Paramètre | Unité | Unité | Unité |
(2.4V-3.6V) | (3.3V +10%) | (1.65V-2.2V) | |
InputPulseLevel | 0Vto3V | 0Vto3V | 0Vto1.8V |
Hausse d'entrée et temps d'automne | 1V/ NS | 1V/ NS | 1V/ NS |
AndReferenceLevel d'InputandOutputTiming (référencede V) | 1.5V | 1.5V | 0.9V |
OutputLoad | Voir les schémas 1 et 2 | Voir les schémas 1 et 2 | Voir les schémas 1 et 2 |