Puce de mémoire de DRACHME de H9HCNNN4KMMLHR 4Gb, stockage de pastille à mémoire vive d'ordinateur de LPDDR4 BGA200

Stockage de puce de mémoire de la puce de mémoire de DRACHME de puce de mémoire de DRACHME H9HCNNN4KMMLHR 4Gb LPDDR4 BGA200

Caractéristiques :

VDD1 = 1.8V (1.7V à 1.95V)
· VDD2 et VDDCA = 1.1V (1.06V à 1.17V)
· VDDQ = 0.6V (0.57V à 0.65V)
· DQ terminé par VSSQ signale (DQ, DQS_t, DQS_c, DMI)
· Architecture simple de débit pour la commande et l'adresse ;
  - tous commandent et adressent verrouillé au bord d'augmentation de l'horloge
· Double architecture de débit pour le bus de données ;
  - deux accès aux données par rhythme
· Entrées d'horloge différentielle (CK_t, CK_c)
· Stroboscope différentiel bidirectionnel de données (DQS_t, DQS_c)
  - La transaction synchrone de données de source a aligné sur le stroboscope différentiel bidirectionnel de données (DQS_t, DQS_c)
· Le soutien de goupille de DMI de écrivent des données masquant et la fonctionnalité de DBIdc
· RL programmable (latence lue) et plan horizontal (écrivez la latence)
· Longueur d'éclat : 16 (défaut), 32 et en marche
  - Le mode en marche est permis par MME
· L'automobile régénèrent et l'individu régénèrent soutenu
· Tous encaissent l'automobile régénèrent et ont dirigé par automobile de banque régénèrent soutenu
· TCSR automatique (l'individu à température compensée régénèrent)
· PASR (l'individu partiel de rangée régénèrent) par le masque de banque et le masque de segment
· Calibrage du fond ZQ