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Puce de mémoire d'instantané de la capacité TC58BYG1S3HBAI6 élevée, lecteur 67VFBGA d'instantané du non-et 2gb

TC58BYG1S3HBAI6 High Capacity Flash Memory Chip , 2gb Nand Flash Drive 67VFBGA
TC58BYG1S3HBAI6 High Capacity Flash Memory Chip , 2gb Nand Flash Drive 67VFBGA
Informations de base
Certification: Original Parts
Numéro de modèle: TC58BYG1S3HBAI6
Quantité de commande min: 1 morceau
Prix: Negotiation
Détails d'emballage: 10cm x 10cm x 5cm
Délai de livraison: 3-5 jours de travail
Conditions de paiement: T/T, Paypal, Western Union, engagement et d'autres
Capacité d'approvisionnement: 500-2000pcs par mois
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Détail Infomation
Article Numbe: TC58BYG1S3HBAI6 Denisty: 2Gb (256M x 8)
Catégorie de produits: Mémoire et mémoire instantanée Interface de mémoire: Parallèle
Volt.: 1,7 V | 1,95 V Technologie: ÉCLAIR - NON-ET (CHROMATOGRAPHIE SUR COUCHE MINCE)
Temp.: -40°C | 85°C (MERCI) Paquet: 67-VFBGA
Surligner:

type mémoire instantanée de non-et

,

puce de la mémoire instantanée IC

Description de produit

PARALLÈLE 67VFBGA de l'INSTANTANÉ 2G de la puce de mémoire instantanée TC58BYG1S3HBAI6 IC

Puce de mémoire d'instantané de la capacité TC58BYG1S3HBAI6 élevée, lecteur 67VFBGA d'instantané du non-et 2gb 0

 

il TC58BYG1S3HBAI6 est un non-et simple de 1.8V 2 Gbit (2 214 592 512 bits) électriquement effaçable et la mémoire microprogrammable (non-et E2PROM) organisée en tant que (2048 + 64) × 2048blocks de pages du × 64 d'octets. Le dispositif a un registre statique de 2112 octets qui permet le programme et les données indiquées à transférer entre le registre et les augmentations d'octets de rangée de cellules de mémoire en 2112. L'opération d'effacement est mise en application dans une unité simple de bloc (128 K bytes + 4 K bytes : 2112 pages du × 64 d'octets).

 

Le TC58BYG1S3HBAI6 est un bloc de mémoires de type périodique qui utilise les goupilles d'entrée-sortie pour l'adresse et l'entrée-sortie de données aussi bien que pour des entrées de commande. Les opérations d'effacement et de programme sont automatiquement exécutées rendant le dispositif le plus approprié aux applications telles que le stockage de fichier à semi-conducteur, l'enregistrement de voix, la mémoire de fichier image pour des appareils photo et d'autres systèmes qui exigent le stockage de données à haute densité de mémoire non-volatile.

 

Le TC58BYG1S3HBAI6 a la logique de CCE sur la puce et les erreurs de lecture 8bit pour chaque 528Bytes peuvent être corrigées intérieurement

Attributs techniques

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Caractéristique :

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Produit Tag:

flash memory ic chip,

nand type flash memory,

flash memory controller chip

Coordonnées
Karen.
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