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Chine Mémoire RAM externe 4 Go EDW4032BABG-70-FD (128 mots X 32bits) GDDR5 SGARM usine

Mémoire RAM externe 4 Go EDW4032BABG-70-FD (128 mots X 32bits) GDDR5 SGARM

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Chine Mémoire DRAM Puce de mémoire H9CCNNN8GTMLAR-NTD 8gb Lpddr3 Ram pour ordinateur portable haute vitesse usine

Mémoire DRAM Puce de mémoire H9CCNNN8GTMLAR-NTD 8gb Lpddr3 Ram pour ordinateur portable haute vitesse

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Chine Mémoire de Ram de H9CCNNN8JTALAR 8Gb pour le stockage des ordinateurs de bureau LPDDR3 BGA178 usine

Mémoire de Ram de H9CCNNN8JTALAR 8Gb pour le stockage des ordinateurs de bureau LPDDR3 BGA178

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Chine PARALLÈLE 170FBGA, mémoire de Ram IC de puce de mémoire de DRACHME d'ordinateur de MT51J256M32HF-80A 8G usine

PARALLÈLE 170FBGA, mémoire de Ram IC de puce de mémoire de DRACHME d'ordinateur de MT51J256M32HF-80A 8G

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Chine POIDS de la puce de mémoire de DRACHME MT53B384M64D4NK-062 SDRAM Lpddr4 24Gb (384M x 64) 1600MHz usine

POIDS de la puce de mémoire de DRACHME MT53B384M64D4NK-062 SDRAM Lpddr4 24Gb (384M x 64) 1600MHz

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Chine H5TC4G63CFR - module de drachme de la puce de mémoire de DRACHME de PBAR DDR3 256MX16 CMOS PBGA96 usine

H5TC4G63CFR - module de drachme de la puce de mémoire de DRACHME de PBAR DDR3 256MX16 CMOS PBGA96

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Chine Puce de mémoire de la DRACHME K4G41325FC-HC03 GDDR5 SGRAM 1.5V 170-Pin FBGA de 4G-Bit 128M x 32 usine

Puce de mémoire de la DRACHME K4G41325FC-HC03 GDDR5 SGRAM 1.5V 170-Pin FBGA de 4G-Bit 128M x 32

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Chine Puce de mémoire de K4G10325FG-HC04 1Gb 32Mx32 GDDR5 FBGA170 usine

Puce de mémoire de K4G10325FG-HC04 1Gb 32Mx32 GDDR5 FBGA170

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Chine Puce de mémoire de DRACHME de H9HCNNNBUUMLHR, Ram de la mémoire 16gb pour le PC LPDDR4 BGA200 usine

Puce de mémoire de DRACHME de H9HCNNNBUUMLHR, Ram de la mémoire 16gb pour le PC LPDDR4 BGA200

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Chine Mémoire Denity 256X32M K4Z80325BC-HC16 FBGA de SAMSUNG 8G de Ram de la mémoire GDDR6 interne usine

Mémoire Denity 256X32M K4Z80325BC-HC16 FBGA de SAMSUNG 8G de Ram de la mémoire GDDR6 interne

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Chine Rendement élevé de bâti de surface de la puce de mémoire de drachme de H5TQ4G63CFR-RDC 256MX16 CMOS PBGA96 usine

Rendement élevé de bâti de surface de la puce de mémoire de drachme de H5TQ4G63CFR-RDC 256MX16 CMOS PBGA96

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Chine HY5DU561622FTP-5 Puce de mémoire DRAM Mémoire SDRAM pour montage en surface 256 Mbit, 200 MHz 2,4 à 2,7 V usine

HY5DU561622FTP-5 Puce de mémoire DRAM Mémoire SDRAM pour montage en surface 256 Mbit, 200 MHz 2,4 à 2,7 V

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