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Puce de mémoire de DRACHME K4B4G1646E-BYK0 - DDR3L SDRAM 1.5V 96-Pin FBGA de 4Gbit 256M x 16 Mbps 1600

DRAM Memory Chip K4B4G1646E-BYK0 - DDR3L SDRAM 4Gbit 256M X 16 1.5V 96-Pin FBGA 1600 Mbps
DRAM Memory Chip K4B4G1646E-BYK0 - DDR3L SDRAM 4Gbit 256M X 16 1.5V 96-Pin FBGA 1600 Mbps
Informations de base
Certification: Original Parts
Numéro de modèle: K4B4G1646E-BYK0
Quantité de commande min: 1 paquet
Prix: Negotiation
Détails d'emballage: 10cm x 10cm x 5cm
Délai de livraison: 3-5 jours de travail
Conditions de paiement: T/T, Paypal, Western Union, engagement et d'autres
Capacité d'approvisionnement: 60000pcs par mois
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Détail Infomation
Numéro d'article: K4B4G1646E-BYK0 Vitesse: Mbps 1600
statut du produit: production de masse Densité: 4 Go
Org.: 512M x 8 Paquet: BGA96
Surligner:

mémoire vive dynamique

,

mémoire de RAM IC

Description de produit

Puce de mémoire de DRACHME K4B4G1646E-BYK0 - DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.5V 96-Pin FBGA

 

Il a été développé en 2005, l'industrie-premier DDR3 de Samsung est la solution de système la plus utilisée, des PCs et des appareils ménagers, aux dispositifs des véhicules à moteur et médicaux.

 

 

Caractéristiques

Densité 4Gb Org. 512M x 8
Vitesse Mbps 1600 Tension 1,35 V
Temp. 0 | °C 85 Paquet 96FBGA
Statut de produit Production en série  

Produit Tag:

dynamic random access memory,

ram memory ic,

dram computer chip

Coordonnées
Karen.
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