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Processeurs d'unité centrale de traitement d'ordinateur portable, processeur de série de legs du NOYAU I5 d'I5-520M SLBU3 - processeur de carnet

Informations de base
Certification: Original Parts
Numéro de modèle: I5-520M SLBU3
Quantité de commande min: 1 morceau
Prix: Negotiation
Détails d'emballage: 10cm x 10cm x 5cm
Délai de livraison: 3-5 jours de travail
Conditions de paiement: T/T, Paypal, Western Union, engagement et d'autres
Capacité d'approvisionnement: 500-2000pcs par mois
Détail Infomation
Numéro d'article: I5-520M Série de produit: Processeurs du noyau I5 de legs
Nom de code: Produits autrefois Arrandale Segment de marché: mobile
État de statut: Lancé TEMPS DE LANCEMENT: 7 janvier 2010
Lithographie: 32Nm Employez les conditions: PC/Client/Tablet
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puces d'ordinateur portable

,

ordinateur portable mobile de processeur


Description de produit

Processeurs d'unité centrale de traitement d'ordinateur portable, série de legs du NOYAU I5 d'I5-520M SLBU3 (cachette 3MB, jusqu'à 2.4GHz) - processeur de carnet
 
Le noyau i5-520M est une double unité centrale de traitement de noyau pour des ordinateurs portables et des horloges de 2,4 à 2,93 gigahertz. Chaque noyau est basé sur la micro-architecture de Nehalem (Westmere). Hyperthreading permet à l'unité centrale de traitement de Dual Core de manipuler 4 fils immédiatement (pour une meilleure utilisation de la canalisation). Comparé au noyau plus rapide i7-620M, aux caractéristiques de 520M seulement 3 cachette du niveau 3 de mb et une fréquence d'horloge inférieure (unité centrale de traitement et GPU).
 
Une caractéristique du nouveau noyau i5-520M est la carte graphique intégrée appelée GMA HD et le contrôleur de mémoire. Chacun des deux sont sur un distinct meurent qui est encore fabriqué en 45nm tandis que l'unité centrale de traitement meurent est déjà fabriquée en nouveau processus 32nm.
 
La représentation de l'i5 520M est sur plus rapide moyen qu'un duo du noyau 2 T9500 et en raison du Turbo Boost, des applications filetées simples courent encore meilleur. Par conséquent, le noyau i5-520M est aussi rapidement que la haute a synchronisé des unités centrales de traitement de duo du noyau 2 et devrait manipuler la plupart de jeu et les multimédia nous charge
 
Conventions de nomination de numéro de type :
 

 

I5Famille de processeur : Noyau i5
- 
 Génération de processeur : Première génération (Nehalem/Westmere)
5Segment de représentation : unités centrales de traitement classe mi de double-noyau
20Identificateur de caractéristique/représentation
 Caractéristiques supplémentaires : Aucune caractéristiques supplémentaires
MMarché de processeur : Marché de mobile du consommateur

 
Nombre i5-520M de processeur :
 

Nombre de processeuri5-520M
FamilleMobile du noyau i5
Technologie (micron)0,032
Vitesse du processeur (gigahertz)2,4
Taille de la cachette L2 (KB)512
Taille de la cachette L3 (mb)3
Le nombre de noyaux2
EM64TSoutenu
Technologie de HyperThreadingSoutenu
Technologie de virtualisationSoutenu
Technologie augmentée de SpeedStepSoutenu
Caractéristique de peu d'Exécuter-débronchementSoutenu

 
Informations générales :
 

TypeUnité centrale de traitement/microprocesseur
Segment de marchéMobile
FamilleMobile d'Intel Core i5
Numéro de type i5-520M
Fréquence 2400 mégahertz
Fréquence maximum de turbo2933 mégahertz (1 noyau)
2667 mégahertz (2 noyaux)
Fréquence de puissance faible1200 mégahertz
Vitesse d'autobus 2,5 GT/s DMI
Multiplicateur d'horloge 18
Paquet988-pin micro-FCPGA (rPGA988A)
PrisePrise G1/rPGA988A
Taille1,48 » » de x 1,48/3.75cm x 3.75cm
Date d'introduction7 janvier 2010
Date de la Fin-de-vieLa date passée d'ordre pour les processeurs enfermés dans une boîte est le 19 octobre 2012
La date passée d'expédition pour les processeurs enfermés dans une boîte est le 18 janvier 2013
  

 
Architecture/Microarchitecture :
 

MicroarchitectureWestmere
Plate-formeCalpella
Noyau de processeur Arrandale
Steppings de noyau C2 (Q3GB, SLBNB)
K0 (Q4CN, SLBU3)
CPUIDs20652 (Q3GB, SLBNB)
20655 (Q4CN, SLBU3)
Processus de fabrication0,032 microns
382 millions de transistors (l'unité centrale de traitement meurent)
177 millions de transistors (IMC/graphiques meurent)
Mourez81mm2 (l'unité centrale de traitement meurent)
114mm2 (IMC/graphiques meurent)
Largeur de donnéesbit 64
Le nombre de noyaux d'unité centrale de traitement2
Le nombre de fils4
Unité de virgule flottanteIntégré
Taille de cachette de niveau 1 cachettes associatives réglées d'instruction de manière de 2 x 32 KBs 4
cachettes associatives réglées de données de manière de 2 x 32 KBs 8
Taille de cachette de niveau 2 cachettes associatives réglées de manière de 2 x 256 KBs 8
Taille de cachette du niveau 33 cachette partagée associative réglée de manière du mb 12
Mémoire physique8 GIGAOCTETS
MultitraitementNon soutenu
Caractéristiques

Instructions du § MMX
§ SSE/couler des prolongements de SIMD
§ SSE2/couler les prolongements 2 de SIMD
§ SSE3/couler les prolongements 3 de SIMD
§ SSSE3/prolongements coulants supplémentaires 3 de SIMD
§ SSE4/SSE4.1 + SSE4.2/couler les prolongements 4 de SIMD 
Le § AES/a avancé des instructions de norme de chiffrage
§ EM64T/technologie mémoire prolongée 64/Intel 64 
HT de §/technologie de Hyper-filetage 
§ TBT/technologie de Turbo Boost 
Le § NX/XD/exécutent le peu de débronchement 
Technologie de VT-x/virtualisation de § 
VT-d de §/virtualisation pour l'entrée-sortie dirigée
Le § TXT/a fait confiance à la technologie d'exécution

Caractéristiques de puissance faible

États C1, C3 et C6 de fil de §
États C1/C1E, C3 et C6 de noyau de §
États C1/C1E, C3 et C6 de paquet de §
Le § a augmenté la technologie de SpeedStep 

 
Périphériques/composants intégrés :
 

Graphiques intégrésType de GPU : HD (Westmere)
Fréquence basse (mégahertz) : 500
Fréquence maximum (mégahertz) : 766
Le nombre d'affichages soutenus : 2
Contrôleur de mémoireLe nombre de contrôleurs : 1
Canaux de mémoire : 2
Largeur de la Manche (peu) : 64
Mémoire soutenue : DDR3-800, DDR3-1066
Largeur de bande maximum de mémoire (GB/s) : 17,1
CCE soutenue : Non
D'autres périphériques

Interface directe de médias de §
Interface de PCI Express 2,0 de §

 
Paramètres électriques/thermiques :
 

Noyau V 0.8V - 1.4V (mode à haute fréquence)
0.775V - 1V (mode basse fréquence)
Température de fonctionnement minimum/maximum 0°C - 105°C
Dissipation de puissance maximum 3,8 watt (TDP dans) d'état C6/67,2 watts (crête, noyau d'unité centrale de traitement seulement)
44,8 watts (soutenus, noyau d'unité centrale de traitement seulement)
Thermal Design Power 35 watts (paquet)
25 watts (noyau d'unité centrale de traitement)
12,5 watts (noyau de graphiques)

Coordonnées
Karen.