Gestion de l'intégrité, solidarité et aide mutuelle, innovation et changement, pragmatisme et efficacité.

Accueil
produits
A propos de nous
Visite de l'usine
Contrôle de la qualité
nous contacter
Demande de soumission
Accueil Produits

Puce de mémoire flash

De bonne qualité Processeurs d'unité centrale de traitement d'ordinateur portable en ventes
Bon fournisseur et bonne qualité. Espoir nous pouvons coopérer la fois prochaine !

—— Technologie Samual-Delke

toutes les parties sont bonnes. Je vous remercie.

—— Пантелеев Валера

les pièces 100% nouveau ! Superbe !

—— 정훈 공 -Kong

l'unité centrale de traitement, JEU DE PUCES sont bon qulity et bon prix.

—— Henry Tan

Je suis en ligne une discussion en ligne

Puce de mémoire flash

(16)
Chine THGBM5G5A1JBA1R Puce de mémoire flash, mémoire flash NAND BGA-153 4 Go Nouveau stockage d'origine usine

THGBM5G5A1JBA1R Puce de mémoire flash, mémoire flash NAND BGA-153 4 Go Nouveau stockage d'origine

Puce de mémoire instantanée, stockage instantané de &original de non-et de la mémoire BGA-153 4GB de THGBM5G5A1JBA1R nouveau Description : 24nm 128G THGBM4TODBGAIJ 64G THGBM4G9D8GBAII 32G THGBM4G8D4GBAIE 16G ... Read More
2018-09-26 16:51:00
Chine PARALLÈLE à grande vitesse 166MHZ de la puce de mémoire instantanée de MT29C2G48MAKLCJI-6IT-ND IC RAM 2G usine

PARALLÈLE à grande vitesse 166MHZ de la puce de mémoire instantanée de MT29C2G48MAKLCJI-6IT-ND IC RAM 2G

PARALLÈLE de RAM 2G d'INSTANTANÉ de la puce de mémoire instantanée MT29C2G48MAKLCJI-6IT-ND IC 166MHZ Partie SERVICE INFORMATIQUE MT29C2G48MAKLCJI-6 Catégorie Circuits intégrés (ICs) Titre ÉCLAIR de (ics) de ... Read More
2018-09-26 17:00:51
Chine Mémoire instantanée 63vfbga 2,7 V | 3,6 V de non-et de parallèle de Mt29f2g08abaeah4-It E IC 2gb usine

Mémoire instantanée 63vfbga 2,7 V | 3,6 V de non-et de parallèle de Mt29f2g08abaeah4-It E IC 2gb

ÉCLAIR 512M 63VFBGA PARALLÈLE de non-et de la puce de mémoire instantanée MX30LF1208AA-XKI IC Spécifications techniques de produit UE RoHS Conforme ECCN (US) 3A991.b.1.a Type de cellules NON-ET DE SLC La densit... Read More
2018-09-26 16:56:17
Chine Puce de mémoire TC58NVG0S3HBAI4 instantanée, PARALLÈLE instantané 63TFBGA de la puce 1G de stockage d'IC usine

Puce de mémoire TC58NVG0S3HBAI4 instantanée, PARALLÈLE instantané 63TFBGA de la puce 1G de stockage d'IC

PARALLÈLE 63TFBGA de l'INSTANTANÉ 1G de la puce de mémoire instantanée TC58NVG0S3HBAI4 IC Catégories Circuits intégrés (ICs) Mémoire Fabricant Toshiba Memory America, Inc. Série - Empaquetage Plateau Statut de ... Read More
2018-09-26 16:31:56
Chine Puce 64Mx16 BGA84 W971GG6JB-18 IC SDRAM DDR2 de la mémoire instantanée IC de puissance faible usine

Puce 64Mx16 BGA84 W971GG6JB-18 IC SDRAM DDR2 de la mémoire instantanée IC de puissance faible

Puce de mémoire instantanée W971GG6JB-18, puce de mémoire d'IC SDRAM DDR2 64Mx16 BGA84 Caractéristiques Type DDR2 SDRAM Organisation x16 Vitesse 1066 MT/s Tension 1,8 V Paquet WBGA-84 Le W971GG6JB est un 1G le ... Read More
2018-09-26 16:29:19
Chine Puce de contrôleur d'instantané de non-et de K9F5608UOD-PCBO mémoire instantanée de non-et de bit de 32M x de 8 bit 16M x 16 usine

Puce de contrôleur d'instantané de non-et de K9F5608UOD-PCBO mémoire instantanée de non-et de bit de 32M x de 8 bit 16M x 16

Puce instantanée K9F5608UOD-PCBO mémoire instantanée de non-et de bit de 32M de Memorry x de 8 bit 16M x 16 Caractéristique : Read More
2018-09-26 16:37:21
Chine HY5PS1G831CFP-S6 Puce de mémoire flash mobile DRAM DDR DRAM 128MX8 0.4OS CMOS PBGA60 usine

HY5PS1G831CFP-S6 Puce de mémoire flash mobile DRAM DDR DRAM 128MX8 0.4OS CMOS PBGA60

DRACHME de la puce de mémoire instantanée HY5PS1G831CFP-S6 RDA, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60 Caractéristiques VDD = 1,8 +/- 0.1V•VDDQ = 1,8 +/- 0.1V Toutes les entrées et sorties sont compatibles avec l... Read More
2018-09-26 17:02:43
Chine Parallèle démontable 63vfbga de module de mémoire instantanée du non-et 512mb de MX30LF1208AA-XKI IC usine

Parallèle démontable 63vfbga de module de mémoire instantanée du non-et 512mb de MX30LF1208AA-XKI IC

Puce de mémoire flash MX30LF1208AA-XKI IC NAND FLASH 512M PARALLELE 63VFBGA Description de base: MX30LF Mémoire Flash NAND 3,6 V 512 Mbit (64 M x 8 bits) - VFBGA-63 # Pièce Fabricant: MX30LF1208AA-XKI Méthode ... Read More
2018-09-26 16:40:54
Chine Type marché des valeurs mobilières de mémoire instantanée 2g 63vfbga de non-et de parallèle de MX30LF2G18AC-XKI IC usine

Type marché des valeurs mobilières de mémoire instantanée 2g 63vfbga de non-et de parallèle de MX30LF2G18AC-XKI IC

PARALLÈLE 63VFBGA de l'instantané 2G de non-et de la puce de mémoire instantanée MX30LF2G18AC-XKI IC Série de MX30LFx 2 gigaoctets (256 M X 8) mémoire instantanée de non-et de bâti de surface de 3,6 V - VFBGA... Read More
2018-09-26 16:53:22
Chine Puce de mémoire d'instantané de la capacité TC58BYG1S3HBAI6 élevée, lecteur 67VFBGA d'instantané du non-et 2gb usine

Puce de mémoire d'instantané de la capacité TC58BYG1S3HBAI6 élevée, lecteur 67VFBGA d'instantané du non-et 2gb

PARALLÈLE 67VFBGA de l'INSTANTANÉ 2G de la puce de mémoire instantanée TC58BYG1S3HBAI6 IC il TC58BYG1S3HBAI6 est un non-et simple de 1.8V 2 Gbit (2 214 592 512 bits) électriquement effaçable et la mémoire ... Read More
2018-09-26 17:05:35
Page 1 of 2|< 1 2 >|