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Cachette du processeur 12M de serveur de noyau de quadruple de Xeon E5640 SLBVC jusqu'à 2,66 gigahertz de capacité élevée

Informations de base
Certification: Original Parts
Numéro de modèle: E5640 SLBVc
Quantité de commande min: 1 morceau
Prix: Negotiation
Détails d'emballage: 10cm x 10cm x 5cm
Délai de livraison: 3-5 jours de travail
Conditions de paiement: T/T, Paypal, Western Union, engagement et d'autres
Capacité d'approvisionnement: 500 par mois
Détail Infomation
Nombre de processeur: E5640 Collection de produits: Processeurs de Xeon de legs
Nom de code: PE de Westmere Segment vertical: Serveur
statut: Cessé Date de lancement: Q1'10
Lithographie: 32Nm Employez la condition: Serveur/entreprise
Surligner:

unité centrale de traitement de catégorie de serveur

,

microprocesseur de serveur


Description de produit

Processeur d'unité centrale de traitement Xeon E5640 SLBVC de serveur (cachette de 12M, to2.66 haut hertz) - processeur de bureau

Le Xeon E5640 emploie l'architecture Westmere-PE pour le processus de 32 nanomètre ; Canalisations d'Intel Xeon E5640 cachette 2,66 gigahertz, 12MB, autobus de QPI, 5,86 GT/s, et accélération de Rui-fréquence de soutiens.

 

Nombre E5640 de processeur

Nombre de processeur E5640
Famille Xeon
Technologie (micron) 0,032
Vitesse du processeur (gigahertz) 2,667
Vitesse d'autobus (mégahertz) 2933 (QPI)
Taille de la cachette L2 (KB) 1024
Taille de la cachette L3 (mb) 12
Le nombre de noyaux 4
EM64T Soutenu
Technologie de HyperThreading Soutenu
Technologie de virtualisation Soutenu
Technologie augmentée de SpeedStep Soutenu
Caractéristique de peu d'Exécuter-débronchement Soutenu
Notes Double-traitement
 

Informations générales :

Type Unité centrale de traitement/microprocesseur
Segment de marché Serveur
Famille
 
Intel Xeon 5600
Numéro de type
 
E5640
Fréquence 2667 mégahertz
Fréquence maximum de turbo 2933 mégahertz (1 ou 2 noyaux)
2800 mégahertz (3 ou 4 noyaux)
Vitesse d'autobus 5,86 GT/s QPI (2933 mégahertz)
Multiplicateur d'horloge 20
Paquet rangée de grille de terre de la Secousse-puce 1366-land (FC-LGA10)
Prise Prise 1366/B/LGA1366
Taille 1,77 » » de x 1,67/4.5cm x 4.25cm
Date d'introduction 16 mars 2010
Date de la Fin-de-vie La date passée d'ordre pour les processeurs incorporés est le 15 novembre 2015
La date passée d'expédition pour les processeurs incorporés est le 15 mai 2016

 

Architecture/Microarchitecture :

Microarchitecture Westmere
Plate-forme TYLERSBURG-PE
TYLERSBURG-en
LE TYLERSBURG-WS
Noyau de processeur WESTMERE-PE
Progression de noyau B1 (Q4EV, SLBVC)
CPUID 206C2 (SLBVC)
Processus de fabrication haut-k processus de porte en métal de 0,032 microns
Largeur de données bit 64
Le nombre de noyaux d'unité centrale de traitement 4
Le nombre de fils 8
Unité de virgule flottante Intégré
Taille de cachette de niveau 1 cachettes associatives réglées d'instruction de manière de 4 x 32 KBs 4
cachettes associatives réglées de données de manière de 4 x 32 KBs 8
Taille de cachette de niveau 2 cachettes associatives réglées de manière de 4 x 256 KBs 8
Taille de cachette du niveau 3 12 cachette partagée associative réglée de manière du mb 16
Mémoire physique 288 GIGAOCTETS
Multitraitement Jusqu'à 2 processeurs
Prolongements et technologies
  • Instructions MMX
  • SSE/couler des prolongements de SIMD
  • SSE2/couler les prolongements 2 de SIMD
  • SSE3/couler les prolongements 3 de SIMD
  • SSSE3/prolongements coulants supplémentaires 3 de SIMD
  • SSE4/SSE4.1 + SSE4.2/couler les prolongements 4 de SIMD
  • AES/a avancé des instructions de norme de chiffrage
  • EM64T/technologie mémoire prolongée 64/Intel 64
  • NX/XD/exécutent le peu de débronchement
  • HT/technologie de Hyper-filetage
  • Technologie de VT-x/virtualisation
  • VT-d/virtualisation pour l'entrée-sortie dirigée
  • TBT/technologie de Turbo Boost
  • TXT/a fait confiance à la technologie d'exécution
Caractéristiques de puissance faible Technologie augmentée de SpeedStep

 

Périphériques/composants intégrés :

Graphiques intégrés Aucun
Contrôleur de mémoire Le nombre de contrôleurs : 1
Canaux de mémoire : 3
Mémoire soutenue : DDR3-800, DDR3-1066
Largeur de bande maximum de mémoire (GB/s) : 25,6
CCE soutenue : Oui
D'autres périphériques Interconnexion rapide de chemin (2 liens)

 

Paramètres électriques/thermiques :

Noyau V 0.8V - 1.3V
Température de fonctionnement maximum 77.6°C
Thermal Design Power 80 watts

Coordonnées
Karen.