Certification: | ORIGINAL PARTS |
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Numéro de modèle: | I5-4200Y SR18T |
Quantité de commande min: | 1 morceau |
Prix: | Negotiation |
Détails d'emballage: | Plateau, 10cm x 10cm x 5cm |
Délai de livraison: | 3-5 jours de travail |
Conditions de paiement: | T/T, Paypal, Western Union, engagement et d'autres |
Capacité d'approvisionnement: | 5000 |
Nombre de processeur: | I5-4200Y | Collection de produit: | 4èmes processeurs du noyau i5 de génération |
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Nom de code: | Produits autrefois Haswell | Segment vertical: | mobile |
statut: | Lancé | Date de lancement: | Q3'13 |
Lithographie: | 22NM | Employez la condition: | Carnet/périphérique mobile |
Surligner: | processeur mobile puissant,microprocesseur mobile |
Les processeurs I5-4200Y SR18T de périphérique mobile (3M cachent, jusqu'à 1.9GHz) - CREUSEZ L'unité centrale de traitement de carnet de série du processeur I5
Le noyau i5-4200Y i5-4200Y est un processeur de double-noyau d'ULV (tension très réduite) pour des ultrabooks et des comprimés lancés dans Q2 2013. Il est basé sur l'architecture de Haswell et est fabriqué en 22nm. En raison du Hyper-filetage, les deux noyaux peuvent manipuler jusqu'à quatre fils en parallèle, menant pour améliorer l'utilisation de l'unité centrale de traitement. Chaque noyau offre une vitesse basse de 1,4 gigahertz, mais peut dynamiquement augmenter des fréquences de base avec le Turbo Boost jusqu'à 1,9 gigahertz pour 1 noyau actif ou à 1,6 gigahertz pour 2 noyaux actifs.
Conventions de nomination de numéro de type :
I5 | Famille de processeur : Mobile du noyau i5 | |
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4 | Génération de processeur : 4rd génération (Haswell) | |
2 | Segment de représentation : processeurs classe mi de double-noyau | |
00 | Identificateur de caractéristique/représentation | |
Y | Caractéristiques et marché supplémentaires : Extrêmement - processeur de puissance faible (11,5 watts pour Haswell) |
Nombre de processeur | i5-4200Y |
Famille | Mobile du noyau i5 |
Technologie (micron) | 0,022 |
Vitesse du processeur (gigahertz) | 1,4 |
Taille de la cachette L2 (KB) | 512 |
Taille de la cachette L3 (mb) | 3 |
Le nombre de noyaux | 2 |
EM64T | Soutenu |
Technologie de HyperThreading | Soutenu |
Technologie de virtualisation | Soutenu |
Technologie augmentée de SpeedStep | Soutenu |
Caractéristique de peu d'Exécuter-débronchement | Soutenu |
Informations générales :
Fréquence | 1400 mégahertz |
Fréquence maximum de turbo | 1900 mégahertz (1 noyau) 1600 mégahertz (2 noyaux) |
Vitesse d'autobus | 5 GT/s DMI |
Multiplicateur d'horloge | 14 |
Paquet | paquet 1168-ball micro-FCBGA (FCBGA1168) |
Prise | BGA1168 |
Taille | 1,57 » x 0,94"/4cm x 2.4cm |
Date d'introduction | 2 juin 2013 (lancement) 4 juin 2013 (annonce) |
Architecture/Microarchitecture :
Microarchitecture | Haswell |
Plate-forme | Baie de requin |
Noyau de processeur | Haswell |
Progression de noyau | C0 (SR18T) |
Processus de fabrication | 0,022 microns |
Largeur de données | bit 64 |
Le nombre de noyaux d'unité centrale de traitement | 2 |
Le nombre de fils | 4 |
Unité de virgule flottante | Intégré |
Taille de cachette de niveau 1 | cachettes associatives réglées d'instruction de manière de 2 x 32 KBs 8 cachettes associatives réglées de données de manière de 2 x 32 KBs 8 |
Taille de cachette de niveau 2 | cachettes associatives réglées de manière de 2 x 256 KBs 8 |
Taille de cachette du niveau 3 | 3 cachette partagée associative réglée de manière du mb 12 |
Mémoire physique | 16 GIGAOCTETS |
Multitraitement | Monoprocesseur |
Prolongements et technologies |
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Caractéristiques de puissance faible | Technologie augmentée de SpeedStep |
Périphériques/composants intégrés :
Graphiques intégrés | Type de GPU : HD 4200 Rangée de graphiques : GT2 Microarchitecture : GEN 7,5 Modules exécution : 20 [1] Fréquence basse (mégahertz) : 200 Fréquence maximum (mégahertz) : 850 Le nombre d'affichages soutenus : 3 |
Contrôleur de mémoire | Le nombre de contrôleurs : 1 Canaux de mémoire : 2 Mémoire soutenue : DDR3L-1333, DDR3L-1600, LPDDR3-1333, LPDDR3-1600 Largeur de bande maximum de mémoire (GB/s) : 25,6 |
D'autres périphériques |
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Paramètres électriques/thermiques :
Température de fonctionnement maximum | 100°C |
Thermal Design Power | 11,5 watts |